ВОПРОСЫ ДЛЯ ПОДГОТОВКИ К ДОПУСКУ

к работе «Запрещённая зона»

1. Что такое тип носителей заряда, собственные и примесные полупроводники? Привести примеры донорных и акцепторных примесей.
2. Какова энергия ионизации примесных атомов (при ответе использовать зонную диаграмму)?
3. Как зависят от температуры ширина запрещенной зоны, уровень Ферми в полупроводниках?
4. Как зависит подвижность электронов от концентрации примесных атомов?
5. Как зависит от температуры проводимость полупроводников (включая зависимости концентрации и подвижности носителей заряда)?
6. Написать выражение для плотности тока носителей заряда в полупроводниках (в приближении диффузии и дрейфа в электрическом поле).
7. Привести характерные значения подвижностей электронов и дырок для Si, Ge, GaAs.
8. Объяснить физический смысл теоремы Блоха.
9. Объяснить физический смысл эффективной массы и плотности состояний.
10. В чем отличия в распределении электронов по энергии в вырожденных и невырожденных полупроводниках?